夜上海论坛《Journal of Semiconductors》由李树深担任主编,由中国科学院半导体研究所;中国电子学会主办的一本电力类CSCD期刊、统计源期刊。该刊创刊于1980年。主要刊登电力学科方面有创见的学术论文,介绍有特色的科研成果,探讨有新意的学术观点提供交流平台,扩大国内外同行学术交流。本刊为月刊,A4开本,邮发代号:2-184,欢迎广大读者订阅或投稿。
夜上海论坛《Journal of Semiconductors》是一本由中国科学院主管,中国科学院半导体研究所;中国电子学会主办的面向国内外公开发行的电力类期刊,该刊主要报道电力相关领域的研究成果与实践。该刊已入选CSCD期刊、统计源期刊。影响因子为0.17。《Journal of Semiconductors》主要内容栏目有研究快报、研究论文、研究简报、技术进展。
夜上海论坛《Journal of Semiconductors》主要发文机构有:中国科学院(发文量1375篇),该机构主要研究主题为“半导体;激光;激光器;砷化镓;GAAS”;清华大学(发文量433篇),该机构主要研究主题为“电路;集成电路;CMOS;半导体;VLSI”;复旦大学(发文量371篇),该机构主要研究主题为“电路;硅;半导体;集成电路;CMOS”。
《Journal of Semiconductors》主要发文主题有半导体、CMOS、电路、激光、发光、硅、GAAS、晶体管、激光器、砷化镓。其中又以”半导体(540篇)”居于榜首,发文量第二的是“CMOS”(316篇),发文量第三的是“电路”(277篇),发文主题最少的是“砷化镓”,仅发文205篇。
1、来稿要求:
本刊欢迎下列来稿:电力及相关学科领域的研究方面的论著,反映国内外电力学术动态的述评、论著、综述、讲座、学术争鸣的文稿,以及有指导意义的电力书刊评价等。文稿应具科学性、先进性、新颖性和实用性,内容翔实,简明扼要,重点突出,文字数据务求准确,层次清楚,标点符号准确,图表规范,书写规范。本刊不接受已公开发表的文章,严禁一稿两投。对于有涉嫌学术不端行为的稿件,编辑部将一律退稿,来稿确保不涉及保密、署名无争议等,文责自负。
2、作者简介:
夜上海论坛述评、专家论坛、指南解读栏目来稿请附第一作者及通信作者的个人简介及近照。个人简介内容包括职称、职务、学术兼职、主要研究领域、主要研究成果、所获重大荣誉奖项等,字数以 100~300 字为宜。近照以 2 寸免冠彩色证件照为宜,格式为“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。
3、文题:
文题力求简明、醒目,反映文稿主题,中文文题控制在 20 个汉字以内。题名中应避免使用非公知公用的缩略语、字符、代号以及结构式和公式。有英文摘要者同时给出英文文题,中英文文题含义应一致。
4、图表:
文中所有图表均需为作者自行制作而非引用他人文献中的图表。图表力求简明,设计应科学,避免与正文重复。凡能用少量文字说明的数据资料尽量不用图表。正文与表中数据应认真核对,准确无误,表内数据同一指标的有效位数应一致。
| 机构名称 | 发文量 | 主要研究主题 |
| 中国科学院 | 1375 | 半导体;激光;激光器;砷化镓;GAAS |
| 清华大学 | 433 | 电路;集成电路;CMOS;半导体;VLSI |
| 复旦大学 | 371 | 电路;硅;半导体;集成电路;CMOS |
| 北京大学 | 369 | 半导体;MOSFET;电路;硅;发光 |
| 中国科学院微电子研究所 | 256 | 晶体管;电路;SOI;HEMT;INGAP/GAAS_HBT |
| 西安电子科技大学 | 217 | 电路;晶体管;4H-SIC;集成电路;MOSFET |
| 浙江大学 | 208 | 单晶;直拉硅;硅;氧沉淀;硅单晶 |
| 东南大学 | 161 | CMOS;MEMS;感器;半导体;传感 |
| 南京大学 | 125 | 发光;光致;光致发光;半导体;硅 |
| 电子科技大学 | 123 | 击穿电压;LDMOS;RESURF;电路;耐压 |
| 资助项目 | 涉及文献 |
| 国家自然科学基金 | 3502 |
| 国家高技术研究发展计划 | 801 |
| 国家重点基础研究发展计划 | 739 |
| 国家教育部博士点基金 | 179 |
| 中国博士后科学基金 | 88 |
| 北京市自然科学基金 | 72 |
| 国防科技技术预先研究基金 | 61 |
| 国家杰出青年科学基金 | 56 |
| 河北省自然科学基金 | 56 |
| 天津市自然科学基金 | 46 |